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전자회로1_03 : MOSFET 정리 PDF + 공식*** 본문

A1_전기회로 & 전자회로/전자회로1

전자회로1_03 : MOSFET 정리 PDF + 공식***

평범한 민석이 2022. 10. 31. 10:10

Ch61 MOSFET_220921_104011.pdf
16.62MB
Ch62 MOSFET 공식유도_220921_103606.pdf
17.23MB
Ch03-01 Transister_금오공대 교수님 강의.pdf
15.28MB

0. MOSFET의 구조 및 Symbol(심볼) (E-mode vs. D-mode)

 

 

 

 

1. 동작 모드 : Triode Mode vs. Saturation Mode

(1) Triode

Triode Region

(2) Saturation

Saturation Region

2. Transconductance of Saturation Mode

transconductance of saturation mode

3. Saturation Region with Channel Length Modulation

(우측 그림 오류) early voltage라는 표현은 쓰지 않는다.

 

Saturation Region with Channel Length Modulation

 

4. Output Impedance of Saturation Mode (Channel Length Modulation)

small-signal model 정리

 

※ Intrinsic Gain

Load가 open일 때(혹은 ideal current source = small signal open) (병렬 연산이므로 ro만 남음), MOSFET으로 이뤄진 CS amplifier의 voltage gain을 의미

 

 

5. Deep Tiode Mode + on-resistance

Deep Triode Region
Deep Triode Region에서 Vds에따른 Id
on-resistance
large-signal model 정리

6. Saturation Current Mode

Saturation Current (?) Mode

7. Body Effect

Body Effect

8. PMOS

(1) 대소 관계 및 부호

  V_Source > V_Gate > V_Drain

  I_D < 0, I_S >0

 V_GS < 0, V_DS < 0, Vthp < 0

 lambda_p > 0

 (2) I-V 관계식

(위) saturation mode (아래) triode mode

※ threhold voltage 유도 공식(반도체 공학)

(https://www.chegg.com/homework-help/questions-and-answers/pmos-threshold-voltage-equation-could-induce-equation-nmos-vth-however-t-induce-equation-p-q96160173)

 

9. Temperature에 따른 Drain Current

  • Temp 증가 -> Thermal Voltage(VT) 감소 (Vt= kT/q) -> Threshold Votage (Vth)  감소 -> ID 증가 (제곱에 비례)
  • Temp 증가 -> mobility 감소 -> Kn' 감소 -> ID 감소 (비례)
  • 결론 : ID 증가 (하지만 일정 온도 이상부터는 mobility가 심하게 감소하여 ID 감소)
 
  1. 온도가 상승하면 문턱전압이 낮아짐.
  2. 온도가 상승하면 ID증가하다가 감소
  3. 온도가 상승하면 누설전류가 기하급수적으로 증가.

참조)

 [전자소자] 현대 반도체 소자 공학 - Vel.. : 네이버블로그 (naver.com)

 

경기짱구의 여행 : 네이버 블로그

.

blog.naver.com

 

MOSFET(3) - 문턱전압, 포화전류, 누.. : 네이버블로그

 

MOSFET(3) - 문턱전압, 포화전류, 누설전류, Sub-Threshold, GIDL, 온도특성

안녕하세요~ 오늘은 MOSFET의 마지막 포스팅이 되겠네요. 마지막까지 화이팅~! - MOSFET의 전...

blog.naver.com

 

[전자회로공학2]week6. (Intrinsic gain~ IC 칩에서 Current Source, Amp 해석) :: 학부연구생의 공부일지

 

[전자회로공학2]week6. (Intrinsic gain~ IC 칩에서 Current Source, Amp 해석)

1. Basic Gain cell - Rd가 없는 current source 2. Intrinsic Gain 3. Ideal - > Practical Amplifer의 Current Source Voltage Transfer Characteristic 4. Increasing the gain of the Basic Cell

cvlab.tistory.com

amplifier - Intrinsic gain of NMOS - Electrical Engineering Stack Exchange

 

Intrinsic gain of NMOS

In Razabi's Design of Analog CMOS Integrated Circuits textbook, the example 3.2 asks for the small signal voltage gain of the circuit below: He explains that since the current source I1 introduces...

electronics.stackexchange.com

 

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