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합법적사기꾼지망생
전자회로1_03 : MOSFET 정리 PDF + 공식*** 본문
0. MOSFET의 구조 및 Symbol(심볼) (E-mode vs. D-mode)
1. 동작 모드 : Triode Mode vs. Saturation Mode
(1) Triode
(2) Saturation
2. Transconductance of Saturation Mode
3. Saturation Region with Channel Length Modulation
4. Output Impedance of Saturation Mode (Channel Length Modulation)
※ Intrinsic Gain
Load가 open일 때(혹은 ideal current source = small signal open) (병렬 연산이므로 ro만 남음), MOSFET으로 이뤄진 CS amplifier의 voltage gain을 의미
5. Deep Tiode Mode + on-resistance
6. Saturation Current Mode
7. Body Effect
8. PMOS
(1) 대소 관계 및 부호
V_Source > V_Gate > V_Drain
I_D < 0, I_S >0
V_GS < 0, V_DS < 0, Vthp < 0
lambda_p > 0
(2) I-V 관계식
※ threhold voltage 유도 공식(반도체 공학)
9. Temperature에 따른 Drain Current
- Temp 증가 -> Thermal Voltage(VT) 감소 (Vt= kT/q) -> Threshold Votage (Vth) 감소 -> ID 증가 (제곱에 비례)
- Temp 증가 -> mobility 감소 -> Kn' 감소 -> ID 감소 (비례)
- 결론 : ID 증가 (하지만 일정 온도 이상부터는 mobility가 심하게 감소하여 ID 감소)
- 온도가 상승하면 문턱전압이 낮아짐.
- 온도가 상승하면 ID증가하다가 감소
- 온도가 상승하면 누설전류가 기하급수적으로 증가.
참조)
[전자소자] 현대 반도체 소자 공학 - Vel.. : 네이버블로그 (naver.com)
MOSFET(3) - 문턱전압, 포화전류, 누.. : 네이버블로그
[전자회로공학2]week6. (Intrinsic gain~ IC 칩에서 Current Source, Amp 해석) :: 학부연구생의 공부일지
amplifier - Intrinsic gain of NMOS - Electrical Engineering Stack Exchange
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