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전자장 Ch13.α 고주파 Oscillator의 설계 주의사항 본문
A2_전자기학 & 전자장/Microwave Engineering - Pozar
전자장 Ch13.α 고주파 Oscillator의 설계 주의사항
평범한 민석이 2023. 8. 26. 16:511. 주요 파라미터
: 고주파에선 Phase noise 보단 발진의 유무부터가 중요하다.(테라헤르츠 영역)
: Pout과 Tunning Range(TR)은 서로 trade off 관계에 놓여있다.
: Fracitonal Tunning Range는 10% 정도면 넓은듯(300GHz대역)(?)
: Output Power가 300GHz에서는 0dBm이상이면 높은듯
: Power Efficiency 3%정도면 무난무난하고 (@ 300GHz), ㅇ
2. Topology
(1) Conventional : CE cross copuled Pair(negative Gm at above 200GHz)
: 이를 개선하기위해 Cascode구조를 사용하기도함
(2) Conventional : Colpitts
: 이를 개선하기위해서 Negative Resistance가 크면 클수록 높은 VCO Power을 뽑아낼수 있다. 그래서 passive 소자들의 값을조정해서 Power을 조정할 수 있다.
3. 공정 별 f max
Teledyne 250nm 공정 사용(M3 gnd, M1 signal line 사용 - inverted microstripline)
Teledyne 130nm 공정의 fmax가 250nm보다 더 높다.
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