합법적사기꾼지망생

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업적 Tufts College 을 졸업(B.S.) Bell Telephone Laboratories에서 근무하며 Smith Chart 개발 1937년 Tosaku Mizuhashi에의해서 독자적으로 중복 개발, 1939년 Amiel R. Volpert에 의해서 독자적으로 중복개발 Electronic Applications of the Smith Chart: In Waveguide, Circuit, and Component Analysis,의 저서 IRE(IEEE의 과거)의 Fellow radar, FM, Antenna에도 기여 reference Phillip Hagar Smith - Wikipedia Phillip Smith: From Amateur Radio Operator to Creator of t..

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오늘은 Transistor의 Switch로서 성능을 알아보자. 제일 중요한 것중 하나가 바로! 속도! 얼마나 빠른 주파수까지 반응하는가 = settling time이 얼마나 짧은가 이다.!! 물론 이외에도 fmax, fT등이 존재하지만 이번에는 고주파공학관점이 아닌 디지털회로 분석 관점에서 알아보려고한다. 1. Transistor의 속도 : Parastice Capactance > Load Capacitance 모든 Transistor에는 Parstic Capacitance(그림기준 C_L)가 존재한다. 특히 Output에 존재하는 Capacitance성분은 트랜지스터의 속도를 저하한다. 왜냐하면 해당 capacitor에 전하가 축적되어야 input의 변화에 의한 output node의 voltage변화..

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내가 이해한 바로는 GND(접지회로 혹은 Short=단락)는 전압이 0이고 전류가 최대인 지점이다. Open(개방회로)는 전압이 최대이고 전류가 0인 지점이다. 이는 Smith Chart에서도 드러난다.

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1. Voltage & Current Open Stub, Short Stub에 흐르는 Average Power는 0이다.(무효전력만이 존재한다.) 위 값들은 이미 Phasor Form형태의 값이므로 그냥 단순히 conjugate 곱을 취해주면 Complex Power를 구할 수 있다. 전기회로2-Ch10.2 Complex Power (tistory.com) 전기회로2-Ch10.2 Complex Power 1. Complex Power (1) Complex Power ※ Unit of Powers (2) Power Factor Angle (3) 계산식 ver1(rms) ※ rms 성분의 방향 (4) 계산식 ver2(peak) ※ rms값의 공식(effective voltage, current) ※ alte..

0. 가정: Lossless, Passive Matching Network) 1. 한 개의 node에서 conjugate matching이 이뤄졌다고 가정하면 모든 Node에 대해서 conjugate matching이 이뤄진다. 2. 한 개의 node에서 conjugate matching이 이뤄지면 모든 Node들에서의 전력은 동일하다. 참고로, 특성저항이 모든 노드들에서 50옴이 아니므로 전력을 1/2 * real(V × I*)로 구해야한다.(전기회로2 복소전력 내용 참조) 3. 전달할 수 있는 최대 전력은 Generator 전력의 1/2이다 그래서 generator의 input impedance를 최대한 작게 만들어줘야한다. reference) Pozar의 교재 2.6챕터 마지막 줄 Reference..

결론: 결론부터 이야기하자면, Input Impedance들이 모두 2배가 되므로 Normalize 해야하는 값도 2배가 되어야 50 Ohm Port로 Normalized된 Smith Chart상에서 동일하게 해석이 가능하다. 원리 : Differential System의 Input Impedance 구하기 아래의 그림처럼 Differential CIrcuit을 저항 2개로 간단하게 나타내었다. 중간의 GND는 virtual gnd에 해당한다. 해당회로의 Zin(=input impedance)를 구해보자. - 그냥 단순히 해당 해당 지점에 Port를 달고 Loop를 끊으면된다. 예를들어 위의 Zin은 Port 상하로 Resistor가 "Series"로 달려 있음을 쉽게 파악할 수 있다. 즉 Zin = 2..

Stability Factor k를 적용하기 위해선 Positive Resistance, Small-signal, LTI System이어야한다. 그런데 이때, 내부적으로 모든 Node에 대해서 Input Impedancee가 Postivie Resistance를 가져야한다. 이를 판별하는 방법은 아래와 같다고 한다. 그냥 양단을 Short, Open시켜두고 Stalbe한지 Transient로 확인하면 된다. 이는 염경환-능동초고주파 회로설계입문을 보면 유추할 수 있는 내용인데, 병렬/직렬 발진을 잡기위해선 측정하기위한 포트의 특성저항이 충분히 크거나(OC), 특성어드이턴스가 충분히 커야한다(SC). 그래서 아래와 같은 판별법이 적용되는 듯하다.

스포0. 이론적 배경(1) Amplifier의 Frequency Response(전자회로2) - Band의 구분 : Razavi - 전자회로 교재에서는 Parastic Capacitance과 DC block&Bypass Capacitor를 ideal open/short로 보거나 혹은 s-domain상에서 고려하는지 유무를 기준으로 Band를 나눈다 Low-frequeny band : coupling cap(dc block) & bypass cap & parastic cap = OPEN in A.C Midband : coupling cap(dc block) & bypass cap = OPEN in A.C High-frequency band : capacitor를 s-domain상에서 분석해서 zero & ..

위 기판을 통해서 TE10 Mode를 분석해보자. Wave Equation은 분포에대한 방정식(tangent성분)과 진행방정식으로 구성된다. 각각의 방정식으로부터 분포에대한 General Solution(정상파version, 단일파version)(xy)과 도파관에서 진행하는 신호에대한 성분(z)을 얻을 수있다. 우선 Hz(TE10이므로 Ez = 0)를 구하면 4가지 기본공식에 의해서 Ex, Ey, Hx, Hy또한 구할 수 있으므로 Hz를 구하자. 1. 일반해 구하기 (1) z에대한 진행 (2) xy에대한 분포(substrate 내부 & 공기=substrate 외부) 이때 중요한부분이 바로 α이다. α는 β가 순허수가 될때 도출되는 값이다. β 가 순허수가되면 평면파(미시적 관점)가 해당방향으로 Propa..

이론적 배경Negative Impedance이면 Unstable이다. Oscillation이 아니다.(물론 Positive Impedance라고해서 Stable 한 것도 아니다. 반례 : Oscillator + Resistor + port(TermG) 달아서 Zin 보면 positive impedance임에도 발진함을 볼 수 있다.) Diapositive 1 (amcad-engineering.com)Stability 분석법 두 가지1 번 째: Negative/Positive Resistance -> Unstable / Stable2 번 째: Nyquist Stability Critertion -> Oscillation / Stable 저항의 종류static or absolute resis..

발진을 확인하는 가장 확실한 방법 : 회로의 출력 Node에 Port 달지 말고(혹은 특성저항이 infinite인 Port를 달고) Labeling만 해서, Time-Transient를 돌려서 FFT했을때, 발진하는 지 알 수 있다.(※ 만약 발진 주파수를 안다면 hb로 시간을 절약할 수도 있다.) 저주파에선 Feedback Analysis vs. 고주파에선 Negative Resistance (1) Feedback Analysis의 장점 및 단점 장점 : 저주파에 적합하다.(∵ 옛날에 만들어진 이론이기 때문이다.) 그리고 Feedback Analysis가 Phase Noise, Oscillation, Stability, Nyquist Stability Criterion을 설명하기에 매우 적합하다. 그리..

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Chapter 13.1 RF Oscillator 2번째 줄 참조. 사인파는, 원치않는 harmonic성분과 노이즈 sideband를 최소화한다.

하지만 노드의 양단주에서 한쪽이라도 TermG(Term, Port)가 달리면 해당 지점에서는 경곗값 조건에 의해서 dBm(vout) == 10*log(P_Probe1.p)+30 이 성립한다.

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1. 주요 파라미터 : 고주파에선 Phase noise 보단 발진의 유무부터가 중요하다.(테라헤르츠 영역) : Pout과 Tunning Range(TR)은 서로 trade off 관계에 놓여있다. : Fracitonal Tunning Range는 10% 정도면 넓은듯(300GHz대역)(?) : Output Power가 300GHz에서는 0dBm이상이면 높은듯 : Power Efficiency 3%정도면 무난무난하고 (@ 300GHz), ㅇ 2. Topology (1) Conventional : CE cross copuled Pair(negative Gm at above 200GHz) : 이를 개선하기위해 Cascode구조를 사용하기도함 (2) Conventional : Colpitts : 이를 개선하기위..

결론 Negative Resistance의 절댓값을 높이면 Fundamental Power가 강해진다. 이유 설명 (병렬발진) 전압의 진폭(V)가 증가함에따라 Total Conductance(G)의 변화는 아래와 같다. 위 그림을 보면 초기( I = 0 일 때, start-up) Negative Conductance의 절댓값이 클 수록 V_o가 더 크다고 추측할 수 있다.(항상 그런것은 또 아닌가보다. 예를들어 값자기 G_total 그래프의 기울기가 값자기 가파라지면서 V_o의 값이 작아질 수도 있다. 이는 Harmonic 성분 & DC Bias(Head room)에 의해 제한되는 Psat으로 이해하면 될듯하다. ... Cripps 교재 챕터 1장 참조 *9.1.2 발진(Oscillation)의 종류 및..