합법적사기꾼지망생

1. Phasor Domain Transformation Phasor 변환이란 오일러 공식을 활용해서 실수부만 때어내는 변환이다. Linear 변환이기때문에 Linear System에 적용이 가능하다. 추후에 E-field H-field를 아래와같이 Phasor변환을 한다. 이떄 주의할점은 exp(jwt)항은 계산의 편의를 위해서 소거시킨다는 점이다. 2. Traveling Wave in a Lossless Medium 3. Traveling Wave in a Lossy Medium

1. Sinsoidal Wave in a Lossless Medium A : amplitude [1] T : time period [sec] ↔ ω : angular frequency [rad/sec] λ : wave length [m] ↔ k : wave number ↔ β : phase constant [rad/m] ※ General Case Φ : reference phase ※ Phase Velocity u_p : phase velocity, propagation velocity 2. Sinsoidal Wave in a Lossy Medium α : attenuation constant, attenuation factor [Np/m] [dB/m]

발진을 확인하는 가장 확실한 방법 : 회로의 출력 Node에 Port 달지 말고(혹은 특성저항이 infinite인 Port를 달고) Labeling만 해서, Time-Transient를 돌려서 FFT했을때, 발진하는 지 알 수 있다.(※ 만약 발진 주파수를 안다면 hb로 시간을 절약할 수도 있다.) 저주파에선 Feedback Analysis vs. 고주파에선 Negative Resistance (1) Feedback Analysis의 장점 및 단점 장점 : 저주파에 적합하다.(∵ 옛날에 만들어진 이론이기 때문이다.) 그리고 Feedback Analysis가 Phase Noise, Oscillation, Stability, Nyquist Stability Criterion을 설명하기에 매우 적합하다. 그리..

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Chapter 13.1 RF Oscillator 2번째 줄 참조. 사인파는, 원치않는 harmonic성분과 노이즈 sideband를 최소화한다.

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1. 주요 파라미터 : 고주파에선 Phase noise 보단 발진의 유무부터가 중요하다.(테라헤르츠 영역) : Pout과 Tunning Range(TR)은 서로 trade off 관계에 놓여있다. : Fracitonal Tunning Range는 10% 정도면 넓은듯(300GHz대역)(?) : Output Power가 300GHz에서는 0dBm이상이면 높은듯 : Power Efficiency 3%정도면 무난무난하고 (@ 300GHz), ㅇ 2. Topology (1) Conventional : CE cross copuled Pair(negative Gm at above 200GHz) : 이를 개선하기위해 Cascode구조를 사용하기도함 (2) Conventional : Colpitts : 이를 개선하기위..

결론 Negative Resistance의 절댓값을 높이면 Fundamental Power가 강해진다. 이유 설명 (병렬발진) 전압의 진폭(V)가 증가함에따라 Total Conductance(G)의 변화는 아래와 같다. 위 그림을 보면 초기( I = 0 일 때, start-up) Negative Conductance의 절댓값이 클 수록 V_o가 더 크다고 추측할 수 있다.(항상 그런것은 또 아닌가보다. 예를들어 값자기 G_total 그래프의 기울기가 값자기 가파라지면서 V_o의 값이 작아질 수도 있다. 이는 Harmonic 성분 & DC Bias(Head room)에 의해 제한되는 Psat으로 이해하면 될듯하다. ... Cripps 교재 챕터 1장 참조 *9.1.2 발진(Oscillation)의 종류 및..

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Skin Effect란?고주파일 수록 도체의 표면에만 전류가 흐르는 현상 Skin Depth Loss란?고주파일 수록 도체의 표면에만 전류가 흘러서, 단면적이 줄어들어, 저항이 증가한다. 결과적으로 전기*전파에너지의 손실이 증가한다.Skin Depth 공식 및 깊이에 따른 Efield의 크기Surface Impedance: Skin depth에의한 TLINE의 저항Microstrip line에서 주파수별 skin depth --> 그로인한 loss ( Lossy Transmission Lines - ppt download (slideplayer.com))

TEM은 uniform plane wave뿐만아니라, 구면파 등 도 해당한다. 이떄 kx^2+ky^2=0을 만족시키위해서 kx와 ky중에서 한개의 값이 복소수일 수 있음을 의미한다.

1. 소신호모델 : 반사고려 x vs. 전송선 이론 : 반사고려 o 2. 소신호모델 = 저주파 이론 으로 볼 수 있음 3. 저주파 = 파장에비해 TLINE의 길이가 매우 짧음 4. 초저주파 기준에서 Tline의 길이는 거의 0.0000...01λ로 볼 수 있음 5. 그러면 Smith 차트 상에서 거의 ZL 및 ΓL과 Zin 및 Γin 이 다르지 않음 6. Short Load + Very Short TLine( 0.000...001λ )을 기준으로 생각해보자 7. 당연히 ΓL=-1이 된다. 그러면 반사되는 신호는 180도 뒤집힌 신호가 될것이다. 8. 그리고 반사된 신호(reflected wave)와 아까부터 계속 입력되는 신호(incident wave)는 서로 정확히 180도 차이난다..

내용 1. Balanced Amplifier (1) Quadrature Hybrid Coupler (2) Broad band가 되는 원리 위 공식을 보면 S11이 ΓA = ΓB이기만 하면 0이됨을 알 수 있다. 일반적으로 Transistor A,B는 대칭적으로 설계되므로 주파수에 상관없이 S11=0임을 알 수있다. 즉, S11이 Wide-band하게 매칭됨을 확인할 수 있다. 그러므로 위 Amp는 wideband하다. RF/마이크로웨이브 평형 증폭기 및 응용 분야에 대한 실용적인 소개 - Mini-Circuits Blog (minicircuits.com) 2. Distributed Amplifier(DA) *Drive Amplifier(DA)와 혼동 주의 (1) MOSFET이 Narrow-band해지는 ..

기존 발진의 정의 : Bakhausen Criterion, Positive Feedback, K-factor 등등과 비교하면서 생각해보자 (제어공학,전기회로, 전자회로) 사전 내용 RF 회로개념 잡기 - PART 2 ▶ Oscillator (발진기) (rfdh.com) RF 회로개념 잡기 - PART 2 ▶ Oscillator (발진기) RF 시스템에 절대로 없어서는 안될 주연배우들 중 하나인 오실레이터(oscillator, 발진기)의 역할과 원리를 이해하고, 발진기란 정확히 '무엇인가'와 '왜 존재하는가?' 에 대한 개념을 잡는 시간을 www.rfdh.com 내용 1. Oscillation의 "전제"조건 (1) Active Device의 존재 유무 (2) Γin >1 혹은 Re{Zin} < 0 (Sta..

참조:(8) The difference between the small-signal and large-signal s-parameters measurements | Forum for Electronics (edaboard.com) The difference between the small-signal and large-signal s-parameters measurements hi all... is there a difference between the small-signal and large-signal s-parameters measurements.. www.edaboard.com 내용 1. Small signal vs. Large Signal (1) S-parameter는 (ADS, Virtuoso..

추가설명 (1) 위 그래프에서 3차 고조파의 신호와 기본주파수 신호의 전력이 Compressed되는데 이를 Gain Compression이라고한다. 참조) 해 당 식들은 모두 dB_scale이다. (2) IP3와 IP1dB사이 10dB차이나는것은 수식으로 증명은 가능하지만 언제나 만족하는 식은 아니라고한다. (3) Dynamic Range는 Output의 유효한 Vpeak-to-peak 을 의미한다. 당연히 노이즈(작은신호)보다는 커야하고 Linearity(큰신호에서 훼손됨)도 보장되어야하므로 LDR로 처음에는 정의된다. 하지만 이는 너무 관대한 정의에 해당된다고 한다. 그래서 SFDR이라는 것으로 정의된다. SFDR의 특징은 required SNR output이 적용된다는것이다. (N0+SNRout =..

내용 1. Gain 종류 : 반사계수공식, Gain 종류, GT를 높이는 공식, GTUmax가 되기위한 조건(K>1), 2. Gain Circles(Unilateral 가정 GLC, GSC에 해당) : GainCircles(from GTU) 3. Noise Circles : Noise Figure Parameter, Fmin 4. Stability Circle (1) (2) Unconditionally Stable Test K>1이면 의미를 잃는다. 절대적인 안정 유무만 판별하지 상대적인 안정도를 의미하지 않는다. 이를 보안한것이 μ-factor이다. (요약 : PDF참조) 참조: Pozar-Microwave Engineering 2nd edition -----------------------------..

내용 1. 이론적배경 (1) Γopt와 Ys(1/Rs)의 Dorminance : Transsistor와 Output Matching Circuit을 하나의 2port network로 보면, Γs가 NF에 가장 Dorminant하다고 한다. : Noise Figure가 최소가되는 Γs 를 Γopt라고 부른다. (2) Gain이 가장 크기 위한, Γs의 조건 : Γin과 Γs는 서로 conjugate 관계에 놓여있어야 된다. (3) Drawback between Noise Performance and Gain : Γs는 Γin*도 되어야하고 Γopt도 되어야 이상적인 LNA를 설계할 수 있다. 하지만 그것이 쉽지 않다. 일반적으로는 Γopt와 Γin*는 서로 다르기 때문이다. 그래서 원하는 설계 목표에 따라..

내용1. 이론적배경전자장 Ch10.1 Noise에 대해서 총 정리 (tistory.com) 전자장 Ch10.1 Noise에 대해서 총 정리내용 1. 이론적배경 (1) 회로의 노이즈 종류 이중 Thermal Noise의 평균과 유도과정은 아래와 같다. 그리고 Thermal Noise(Pozar에서 다루는 노이즈)는 Additive White Gaussian Noise(AWGN)를 가정한다. 이때, Gaussian Ntgs05016.tistory.com(1) 회로의 노이즈 종류이중 Thermal Noise의 평균과 유도과정은 아래와 같다. 그리고 Thermal Noise(Pozar에서 다루는 노이즈)는 Additive White Gaussian  Noise(AWGN)를 가정한다.이때, Gaussian Noi..

내용 1. 이론적배경 (1) 회로의 노이즈 종류 이중 Thermal Noise의 평균과 유도과정은 아래와 같다. 그리고 Thermal Noise(Pozar에서 다루는 노이즈)는 Additive White Gaussian Noise(AWGN)를 가정한다. 이때, Gaussian Noise이라면 Wide Sense Stationary라는 조건을 만족시켜서 AutoCorrelation과 PSD사이 Fourier Transform변환이 가능하다. (2) 입력 노이즈와 출력 노이즈의 관계 (feat. Power Spectruc Density) 출력 노이즈 파워는 입력 노이즈 파워 곱하기 Av=H(f)의 제곱이다. (단 AWGN를 가정) (3) 노이즈는 (무조건) 2개의 노이즈 소스로 나타낼 수 있다. (4) Po..

위 회로가 발진(Oscillation)하지 않기위해서는 어떻게해야할지 알아보자.우선 의식의 흐름대로 1~4로 구성되었음을 독자들에게 알린다.주의사항 : 아래의 내용들은 Large-Signal Regime에서는 적용이 불가능하다. 거기서부터는 Pole-zero Identification(제어공학의 내용)을 적용해야한다.참조 : Diapositive 1 (amcad-engineering.com)   내용1. 발진(Oscillation) : 안정(Stable)의 반대? NoOscillation ⊂ Unstable ↔ Stable(1) 음수 입력 임피던스: 이는 Smith 차트에서 단위원 밖을 의미한다.(2) Closed Loop System에서 분모가 0 : Barkhausen crite..

내용 1. 용어정리 (1) 입력단 (2) 출력단 2. 증명 1 3. 증명 2 ----------------------------------------------------------------- 광 고 -----------------------------------------------------------------

복습 (1) Transducer Power Gain i) Diagram 위 그래프에서 Γin과 Γout은 어떻게 표현될까? 그리고 발진에 위험을 주는 LoopGain 공식 2개 를 유추해보자 ii) ver1 iii) ver2 vi) ver3 (2) Maximum Available Gain (MAG ) = Maximum Transducer Power Gain i) ver1 ii) ver2 (유도과정은 Gonzalez 책 Appendix F) (3) MSG (= Maximum Stable Gain) 전자장 Ch 12.1 General Microwave Amplifier _ Matching, Power, Gain (tistory.com) 전자장 Ch 12.1 General Microwave Amplifier ..

주의사항) 아직 해당 글은 이해가 미숙하니, 틀린 내용이 있을 수 있다.내용1. 착각하기 쉬운 것들(1) Ideal Wire ≠ Transmission Line: Ideal Wire는 길이가 0이고 특성저항이 정의되지 않는 선이다.: 소자들의 양단에 걸리는 전압이 동일한 위상이 아닐수 있기때문에(왜냐하면 전류가 흐르는게 아니라 전자기파가 quasi_TEM Mode로 흐르는 것이기 때문이다.), Small signal Model을 적용하기 매우 까다롭다.: 하지만 SnP file혹은 Zin (@ target frequency)를 측정해서 TLIN까지 모두 EM으로 대체한 schematic을 그렸다면, small signal model을 적용할 수 있다.: 아날로그회로(저주파회로) Small signal m..

1. Total 신호 구하기 위와 같이 Zin과 Zg(Zs)의 전압분배법칙을 통해서 Total Voltage(V(-l)을 구할 수 있다. g와 s는 generator혹은 source를 의미한다 2. Transient) Incident 신호 구하기**** 위식은 맞을까??? 아니다 정확히는 아래의 과정을 밟아야한다 즉, 전압 분배법칙은 transient분석에서 불가능하다(특히 incident wave) ※의문점 아니 Chapter 2.8의 과도 반응 분석에는 V0+도 전압분배법칙 적용하지 않음?? 그렇다 하지만 이거는 반사가 Zs에서 일어나지 않는 Total V+.in와 V+이 같아서 그런것일 뿐이다.

내용 1. 공식 유도과정_반사계수 (1) 위 식에서 z = 0을 대입하면 Load양단의 전압과 전류를 구할 수 있다. 그리고 전기회로2에서 배웠듯이 평균전력은 복소전압 × 복소전력* × 1/2 이다. (2) (3) 주의사항) V^2/2R로 유도하면안된다.. 2. 공식 유도과정_ver_투과계수 주의사항) 전압투과계수와 전류투과 계수는 다르다******** (1) 비슷하게 위의 식에 z=0를 대입하면 된다. (2) 그리고 동일하게 복소전압 × 복소전력* × 1/2 으로 전력을 계산하면 된다. 결과는 1.번과 동일 참고) another way Incident Wave Power - Reflected Wave Power해줘도 동일한 공식이 유도된다. ----------------------------------..